آدینه بوک
- پایگاه جامع اطلاعات و فروش کتاب ایران
حساب شما
سفارش من کجاست؟
افزایش اعتبار /
کارت هدیه
تماس با ما
0
0
سبد خرید شما خالی است.
ورود
خانه
فهرست ناشران
پرفروشترین ها
دسته بندی
ادبیات
جغرافیا و تاریخ
دین
زبان
علوم اجتماعی
علوم طبیعی و ریاضیات
علوم کاربردی
فلسفه و روانشناسی
کلیات
هنر
مدرسه
جستجوی پیشرفته
خانه
فهرست ناشران
پرفروشترین ها
دسته بندی
ادبیات
جغرافیا و تاریخ
دین
زبان
علوم اجتماعی
علوم طبیعی و ریاضیات
علوم کاربردی
فلسفه و روانشناسی
کلیات
هنر
مدرسه
جستجوی پیشرفته
خرید کتاب ﺑﺮرﺳﯽ ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮرﻫﺎی اﺛﺮ ﻣﯿﺪاﻧﯽ ﻣﺒﺘﻨﯽ ﺑﺮ SOI اثر مریم میراصانلوزیدی از نشر سنجش و دانش
کتاب ﺑﺮرﺳﯽ ﺗﺮاﻧﺰﯾﺴﺘﻮرﻫﺎی اﺛﺮ ﻣﯿﺪاﻧﯽ ﻣﺒﺘﻨﯽ ﺑﺮ SOI
مریم میراصانلوزیدی
ناشر:
سنجش و دانش
تاریخ نشر:
تیر 1398
تعداد صفحه:
88
شابک:
978-622-05-0739-0
قطع کتاب:
وزیری
نوع جلد:
شومیز
وزن:
150 گرم
موجودی:
در حال حاضر این کتاب در سایت عرضه نشده است.
درخواست تهیه: اگر کتاب موجود شد، به من اطلاع بده
کتابهایی با موضوعات مشابه
ترانزیستورها با اثر میدان
•
تکنولوژی سیلیسیوم روی عایق ها
فناوری ساخت قطعات الکترونیکی (فناوری VLSI سیلیسیمی): اساس، روش های اجرا و مدل سازی
~مایکل دی. دیل، جیمز دی. پلامر
ترانزیستورهای اثر میدانی بر پایه نانوسیم: اصول و کاربردها
~دای مان کیم، یون-ها جئونگ، نگین معنوی زاده (مترجم)، تارا غفوری (مترجم)، مهدی اکبری (ویراستار)، بهاره معروفی راد (ویراستار)
ترانزیستور اثر میدان تحت کرنش: (طراحی و استفاده به منظور بهبود مشخصات فنی ادوات الکترونیک دیجیتال و حافظه ها)
~سهیل رنجبر مالکی
ترانزیستورها و سنسورهای مبتنی بر کربن
~محمد باقری
مقایسه انتقال شبه بالستیک با نفوذ - رانش در ترانزیستورهای نانومتری
~لیلا شعبانی
موارد بیشتر
(7)
مشاهده موارد مشابه بر اساس دسته بندی
کتاب
>
علوم کاربردی
>
مهندسی و عملیات وابسته