کارت هدیه
سبد خرید شما خالی است.
کتاب ترانزیستور اثر میدان تحت کرنش: (طراحی و استفاده به منظور بهبود مشخصات فنی ادوات الکترونیک دیجیتال و حافظه ها)
ناشر:
آرنا
تاریخ نشر: مرداد 1398
تعداد صفحه: 70
شابک: 978-600-356-798-6
قطع کتاب: وزیری
نوع جلد: شومیز
وزن: 126 گرم
موجودی:
تاریخ نشر: مرداد 1398
تعداد صفحه: 70
شابک: 978-600-356-798-6
قطع کتاب: وزیری
نوع جلد: شومیز
وزن: 126 گرم
موجودی:
کتابهایی با موضوعات مشابه
آینده مدارهای مجتمع نانو الکترونیک ~محمد باقری- نانو ترانزیستورهای سه مقداری ~مسعود فراهانی، علیرضا طورچی
- مقایسه انتقال شبه بالستیک با نفوذ - رانش در ترانزیستورهای نانومتری ~لیلا شعبانی
- دزیمتری الکترونیک بر اساس آشکارسازهای ماسفت ~بهارک اسلامی یخفروزان
- بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی ~طاهره رادسر
- موارد بیشتر (9)
مشاهده موارد مشابه بر اساس دسته بندی
